Samsung Electronics-ek iragarri zuen 4 Gb-ko tamaina duten DDR8 memoria-modulu aurreratuenen ekoizpen masiboa hasi duela, eta horiekin batera zerbitzari korporatiboetarako zuzendutako lehen 32 GB DDR4 RAM moduluen ekoizpena hasi du. RAM berri hauek 20 nm-ko fabrikazio-prozesu berria erabiliz fabrikatzen dira, hau da, gaur egungo prozesadore mugikor aurreratuenak ere fabrikatzeko erabiltzen den prozesu bera. Samsung-ek dio memoria-modulu hauek hurrengo belaunaldiko zerbitzari korporatiboetan errendimendu handiko, dentsitate handiko eta energia aurrezteko baldintza guztiak betetzen dituztela.
Horrez gain, 8Gb DDR4 modulu berriekin, Samsung-ek 20 nm-ko fabrikazio-prozesua erabiliz fabrikatutako DRAM moduluen sorta osoa amaitu zuen. Gaur egun, serie honek 6 Gb LPDDR3 gailu mugikorretarako eta 4 Gb DDR3 moduluak ditu ordenagailuetarako. Orduan, goian aipatu bezala, Samsung 32 GB RDIMM memoria-moduluak ekoizten hasten da, pin bakoitzeko 2 Mbps-ko transferentzia-tasa eskaintzen dutenak, eta horrek errendimenduaren ehuneko 400ko igoera suposatzen du zerbitzariaren DDR29 memoriaren 1 Mbps-ko transferentzia-tasarekin alderatuta. Baina teknologia honen gaitasunak ez dira 866 GB-n gelditzen eta Samsung-ek adierazi du 3D TSV teknologia erabiliz posible dela 32 GB-ko memoria-modulu bat garatzea. Modulu berrien abantaila aipatu kontsumo txikiagoa ere bada, DDR3 txip hauek 128 voltio behar baitute, hau da, gaur egun ahalik eta tentsio baxuena.
//
//
*Iturria: Samsung
