Samsungek oraindik ere aurkeztu ez duen arren Galaxy S9 eta dagoeneko espekulatzen hasi da Galaxy S10. Antza denez, Hego Koreako erraldoiak datorren urtean aurkeztuko duen enblematikoek aurtengoa baino txip indartsuagoa izan beharko luke. Galaxy S9. Nazioarteko bertsioaren muina Galaxy S9 Exynos 9810 bat da eta AEBetako bertsioa Snapdragon 845 bat da. Samsung-ek 10 nm-ko prozesuari eutsi behar izan zion, baina 7nm-ko txipak datorren urtean baino lehen agertu beharko lirateke telefono adimendunetan, hau da. Galaxy S10.
Atzo, Qualcomm-ek Snapdragon X24 aurkeztu zuen, 2 Gbps-ko deskarga-abiadura teorikoak agintzen dituen telefonoetarako LTE modem berria. Qualcomm-ek dioenez, 20. kategoriako lehen LTE modema da abiadura handiak onartzen dituena. Snapdragon X24 7 nm-ko arkitekturan eraikitako lehen LTE modem bihurtuko da.
Qualcommek esan zuen modemak gailu komertzialetara iritsiko direla urte honetan, beraz, ez da AEBetako bertsioa bultzatzen duen Snapdragon 845 txiparekin estreinatuko. Galaxy S9. Snapdragon 845-ek Snapdragon X20 LTE modema du.
Nahiz eta Qualcommek ez zuen baieztatu hurrengo prozesadorea, hau da, Snapdragon 855, 7nm prozesua erabiliz fabrikatuko denik. Hau espekulazioa baino ez da, hornitzailearen langile baten LinkedIn profilean oinarrituta.
Snapdragon 855, Snapdragon X24 modema izango lukeena, munduko lehen 7nm-ko prozesadore mugikorra bihurtuko litzateke. ETA Galaxy S10 horrelako prozesadore bat izango duen lehen telefonoa izango litzateke.
iturria: SamMobile
