Praga, 20ko martxoaren 2015a - Samsung Electronics Co., Ltd., memoria aurreratuko teknologian mundu mailako liderra, errendimendu handiko 128 GB 3 biteko NAND biltegiratzea aurkezten du gailu mugikorretarako, Embedded MultiMedia teknologian oinarritzen dena.Card (eMMC) 5.0. Telefono adimendunak dagoeneko 128 GBko memoria biltegiratzera aldatzen ari dira Universal Flash Storage (UFS) 2.0 edo EMMC 5.1 estandarretan oinarrituta. Era berean, gama ertaineko telefono adimendunek ere beren ahalmena handitu ahal izango dute 128 GB biltegi berriari esker Samsung 3bit NAND eMMC 5.0. Memoria txip honek dauka ahalmen handiena eMMC 5.0 estandarraren barruan.
"NAND-en oinarritutako 3bit eMMC 5.0 seriea abian jartzearekin batera, ahalmen handiko biltegiratze mugikorren hedapenean aitzindaria izatea espero dugu. Gure mugikorreko memoria-eskaintza garatzen jarraitzen dugu, errendimendu hobearekin eta gaitasun handiagoarekin, telefono mugikorren industrian bezeroen eskaera geroz eta handiagoarekin asetzeko". esan zuen Dr. Jung-Bae Lee, Samsung Electronics-eko Memory Product Planning and Application Engineering taldeko presidenteorde seniorra.
Irakurketa sekuentziala Samsung-en 128 GB eMMC 5.0 biltegiratze berriaren datuak abiadura bizian doaz 260 MB / s. NAND oinarritutako MLC eMMC 5.1 memoriaren errendimendu bera da. Ausazko irakurketa eta idazketa errendimendua je 6000 IOPS, hurrenez hurren 5000 IOPS, definizio altuko bideoak eta zeregin anitzeko funtzio aurreratuak onartzen dituen nahikoa azkarra. Kanpoko memoria-txartelekin alderatuta, irakurtzeko eta idazteko abiadura hauek gutxi gorabehera 4 aldiz a 10 aldiz handiagoa.
3bit eMMC 5.0 serie berriak Samsung-en negozioa zabaltzen du datu zentroetarako, zerbitzarietarako eta ordenagailuetarako SSDak hornitzetik biltegiratze mugikorren merkatu osora. Samsung-ek 3 biteko NAND Flash memoriak sartzen jarraituko du errendimendu handiko eta gaitasun handiko soluzioen garapenaren bidez, baita memoria-teknologiaren negozioaren lehiakortasuna indartzen jarraituko du.
//
//
